半导体杂质检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.金属杂质检测：铁，铜，铝，钠，钾，钙，镁，镍，铬，锌。

2.非金属杂质检测：氧，碳，氮，硫，磷，氯，氟，硼，氢。

3.痕量元素分析：痕量金属元素，多元素残留，超痕量无机杂质，元素总量分布，背景杂质水平。

4.表面污染物检测：表面离子残留，表面金属残留，表面有机残留，表面颗粒污染，表面薄层污染。

5.体相杂质检测：体相元素含量，晶体内部杂质，局部富集杂质，深层污染物，基体杂质均匀性。

6.离子污染检测：阴离子残留，阳离子残留，可溶性离子，总离子污染，清洗后离子残留。

7.颗粒污染检测：颗粒数量，颗粒粒径分布，颗粒形貌，颗粒成分，微粒附着密度。

8.化学试剂杂质检测：酸液金属杂质，碱液离子杂质，溶剂残留杂质，配液污染物，试剂纯度杂质。

9.气体杂质检测：水分，氧含量，烃类杂质，酸性气体残留，颗粒杂质。

10.超纯水杂质检测：痕量金属，阴阳离子，颗粒物，有机残留，溶解性杂质。

11.薄膜层杂质检测：薄膜金属污染，薄膜非金属夹杂，界面杂质，膜层扩散杂质，膜内元素偏析。

12.扩散污染检测：热处理扩散杂质，交叉污染元素，迁移性离子，高温引入污染，工艺扩散残留。

检测范围

半导体硅片、外延片、抛光片、晶圆、裸片、掩膜版、光刻胶、显影液、刻蚀液、清洗液、超纯水、电子特气、靶材、石英器件、陶瓷部件、封装基板、引线框架、焊料、薄膜材料、工艺腔体沉积物

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量金属元素定量分析，适合多元素同步检测。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于多种无机元素含量测定，适用于较宽浓度范围分析。

3.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子残留检测，可分析可溶性离子污染情况。

4.气相色谱仪：用于挥发性杂质和有机残留分析，适合工艺介质中的痕量组分检测。

5.液相色谱仪：用于分离和分析液体样品中的杂质成分，可用于复杂基体污染物测定。

6.二次离子质谱仪：用于表面及深度方向杂质分布分析，适合微区和界面污染研究。

7.辉光放电质谱仪：用于固体材料体相痕量元素分析，适合高纯材料杂质测定。

8.总有机碳分析仪：用于测定水样和化学介质中的有机污染水平，反映洁净程度。

9.激光颗粒计数器：用于颗粒数量和粒径分布检测，适合液体和气体洁净度评价。

10.扫描电子显微镜：用于观察颗粒形貌、表面污染状态及微区缺陷特征，可辅助杂质来源分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质